北京航空航天大学2016博士研究生半导体器件物理大纲

《半导体器件物理》博士生入学考试大纲
　　一、复习内容及基本要求
　　1.半导体中载流子特性：晶体结构，能带与能隙，载流子及热平衡，载流子宏观迁移。
　　2.p-n结形成;耗尽层，电流电压特性，结击穿，异质结，传输过程与噪音。
　　3.双极器件;静态特性，微波特性，异质结双极晶体管。
　　4.MIS;电流传输过程，器件结构，欧姆接触，势垒高度，理想MIS电容。
　　5.MOS：基本器件特性;期间按比例缩小，短沟道效应，器件基本结构。
　　6.JFET原理与特性。
　　7.光电子器件(LED、太阳能电池)原理以及特性。
　　8.巨磁阻效应及其器件
　　9.考试的基本要求
　　要求考生有扎实的半导体物理，半导体器件，及微电子实验基础理论知识和技术基础。掌握半导体器件系统的主要组成部分的基本原理，能够综合量子物理、半导体物理、器件物理的知识分析和解决问题。
　　二、建议参考
　　1.施敏编著 《现代半导体器件物理》第3版 西安交通大学出版社。
　　2.韩秀峰著 《自旋电子学导论》上卷 第一章 科学出版社。